Erste GaAs-Tunneldioden auf dem Markt

Die von Texas Instruments angekündigten GALLIUM-Arsenid-Tunneldioden sind die ersten kommerziell erhältlichen Gallium-Arsenid-Bauelemente der Welt.

So begann vor 63 Jahren eine Geschichte in der Ausgabe von Electronics Weekly vom 12. Oktober 1960

Die Geschichte geht weiter:

Sie stellen einen großen Durchbruch bei der Bereitstellung des sogenannten „idealen“ Materials dar, um die Vorteile der Tunneldiodentheorie voll auszunutzen.

Diese neuen Dioden werden in den USA bereits vollständig produziert und in dieses Land importiert. Eine Fertigung wird hier vorgenommen, wenn die Nachfrage oder Verteidigungserfordernisse dies rechtfertigen. Erste Auslieferungen der Geräte an Kunden erfolgten bereits.

Es wurden vier Typen angekündigt, die als IN650-Serie bekannt sind. Sie haben ein sehr hohes Spitze-Tal-Verhältnis von mehr als 15:1 und einen Hochtemperaturbetrieb bis zu 150 °C.

Sie wurden für spezielle Anwendungen in Hochgeschwindigkeits-Computerschaltungen entwickelt.

Gleichzeitig mit der Tunneldiode wurden Erweiterungen der Texas-Gleichrichterreihe, zwei Silizium-Photovoltaik-Lichtsensoren und drei neue Mesa-Germanium-Transistoren für Computeranwendungen angekündigt.